FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2

Características Principales

• Frecuencia de operación: 136-174 MHz banda VHF
• Potencia máxima de salida: 50 W
• Capacidad de 32 canales programables
• Pantalla LED brillante para mejor visualización
• Rango de temperatura operativa: -30°C a +60°C

• Transistor MOSFET de potencia RF de silicio
• Cumple con RoHS
• Frecuencia de operación: 175 MHz (70W) y 520 MHz (50W)
• Tensión de drenaje a fuente (VDSS): 30V
• Disipación del canal: 150W
• Eficiencia alta: 60% típica en banda VHF, 55% típica en banda UHF

Aplicaciones

• Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
• Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF

Especificaciones Eléctricas

• Tensión de compuerta a fuente (VGSS): ±20V
• Corriente de drenaje: 20A
• Temperatura de canal: 175°C
• Resistencia térmica unión a carcasa: 1.0°C/W
• Corriente de drenaje a VGS=0V: 300μA (máx.)
• Corriente de fuga de compuerta: 5μA (máx.)
• Voltaje de umbral: 1.3V a 2.3V

Precauciones de Uso

• Alta temperatura: El producto puede generar calor durante la operación
• Generación de potencia de alta frecuencia: Puede generar ondas eléctricas innecesarias
• Sensible a descargas electrostáticas (ESD)
• No usar por debajo de la frecuencia recomendada
• Mantener baja la temperatura del dispositivo para maximizar la confiabilidad
• No exceder las condiciones de clasificación máxima

Condiciones de Operación

• Tensión de alimentación: 12.5V
• Potencia de salida: >70W @ 175MHz, >50W @ 520MHz
• Ganancia: >10.6dB @ 175MHz, >7.0dB @ 520MHz
• Impedancia de entrada/salida: 50Ω
• Tensión de prueba: 12.5V (Vdd)

Dimensiones y Conexiones

• Conexiones:
• 1. Drenaje (DRAIN)
• 2. Fuente (SOURCE)
• 3. Compuerta (GATE)
• Dimensiones: 25.0±0.3mm (largo) x 7.0±0.5mm (ancho)
• Tolerancia VSWR: 20:1 (toda fase) en 175MHz y 520MHz

Condiciones de Almacenamiento

• Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
• Temperatura de canal: Máxima 175°C
• Temperatura operativa recomendada: Hasta 120°C (canal) o 140°C (máx. 175°C)